IMBG65R015M2HXTMA1 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

IMBG65R015M2HXTMA1

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

IR (Infineon Technologies)

SILICON CARBIDE MOSFET

Лента и катушка (TR)

Цены:

$12.9420

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$19.2150

$17.7210

$177.2100

$16.9290

$423.2250

100

$15.1380

$1,513.8000

250

$14.4360

$3,609.0000

500

$13.7430

$6,871.5000

1000

$12.9420

$12,942.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

IMBG65R015M2HXTMA1

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

IMBG65R015M2HXTMA1

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

IR (Infineon Technologies)

SILICON CARBIDE

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Лента и катушка (TR)

Спецификация книги

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Ряд	CoolSiC™ Gen 2
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	115A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	18mOhm @ 64.2A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс.)	416W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	5.6V @ 13mA
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7-12
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	15V, 20V
ВГС (Макс)	+23V, -7V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	79 nC @ 18 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2792 pF @ 400 V