IRFD210 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

IRFD210

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

Трубка

Цены:

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

IRFD210

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

IRFD210

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

MOSFET N-CH 200

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Трубка

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Vishay / Siliconix
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	OBSOLETE
Пакет/кейс	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Through Hole
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	600mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 360mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)	1W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика	4-HVMDIP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	10V
ВГС (Макс)	±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	8.2 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	140 pF @ 25 V