NXH003P120M3F2PTNG Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

NXH003P120M3F2PTNG

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL

Поднос

Цены:

$218.0880

Запасы: 20

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$232.8480

$218.0880

$4,361.7600

$209.8890

$8,395.5600

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

NXH003P120M3F2PTNG

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

NXH003P120M3F2PTNG

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

SILICON CARBIDE

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Поднос

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Sanyo Semiconductor/onsemi
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	Module
Тип монтажа	Chassis Mount
Конфигурация	2 N-Channel (Half Bridge)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	Silicon Carbide (SiC)
Мощность - Макс.	1.48kW (Tj)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	435A (Tj)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	20889pF @ 800V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	5mOhm @ 200A, 18V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	1200nC @ 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.4V @ 160mA
Пакет устройств поставщика	36-PIM (56.7x62.8)