NXH004P120M3F2PTNG Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

NXH004P120M3F2PTNG

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL

Поднос

Цены:

$181.6560

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$193.9410

$181.6560

$3,633.1200

$174.8250

$6,993.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

NXH004P120M3F2PTNG

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

NXH004P120M3F2PTNG

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

SILICON CARBIDE

Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов

Поднос

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Sanyo Semiconductor/onsemi
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	Module
Тип монтажа	Chassis Mount
Конфигурация	2 N-Channel (Half Bridge)
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Технологии	Silicon Carbide (SiC)
Мощность - Макс.	1.1kW (Tj)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	338A (Tj)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	16410pF @ 800V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 200A, 18V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	876nC @ 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.4V @ 120mA
Пакет устройств поставщика	36-PIM (56.7x62.8)