RN2118MFV(TPL3) Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

RN2118MFV(TPL3)

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

Разрезанная лента (CT)

3000

Цены:

$0.2430

Запасы: 3000

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$0.2430

$0.1710

$1.7100

100

$0.0810

$8.1000

500

$0.0720

$36.0000

1000

$0.0450

$45.0000

2000

$0.0450

$90.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

RN2118MFV(TPL3)

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

RN2118MFV(TPL3)

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRANS PREBIAS P

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Разрезанная лента (CT)

3000

Спецификация книги

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд	-
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	SOT-723
Тип монтажа	Surface Mount
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)	500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Пакет устройств поставщика	VESM
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	50 V
Мощность - Макс.	150 mW
Резистор — база (R1)	47 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)	10 kOhms