RN2427TE85LF Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

RN2427TE85LF

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

Лента и катушка (TR)

7830

Цены:

$0.4050

Запасы: 7830

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$0.4050

$0.2880

$2.8800

100

$0.1440

$14.4000

500

$0.1260

$63.0000

1000

$0.0990

$99.0000

3000

$0.0900

$270.0000

6000

$0.0900

$540.0000

9000

$0.0810

$729.0000

30000

$0.0720

$2,160.0000

75000

$0.0630

$4,725.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

RN2427TE85LF

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

RN2427TE85LF

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRANS PREBIAS P

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Лента и катушка (TR)

7830

Спецификация книги

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Surface Mount
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 50mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)	500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	90 @ 100mA, 1V
Пакет устройств поставщика	S-Mini
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	800 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	50 V
Мощность - Макс.	200 mW
Частота – переход	200 MHz
Резистор — база (R1)	2.2 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)	10 kOhms