RN2901,LF(CT Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

RN2901,LF(CT

Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K

Лента и катушка (TR)

Цены:

$0.0360

Запасы: 6

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$0.2340

$0.1620

$1.6200

100

$0.0810

$8.1000

500

$0.0630

$31.5000

1000

$0.0450

$45.0000

3000

$0.0360

$108.0000

6000

$0.0360

$216.0000

9000

$0.0270

$243.0000

30000

$0.0270

$810.0000

75000

$0.0270

$2,025.0000

150000

$0.0270

$4,050.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

RN2901,LF(CT

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

RN2901,LF(CT

Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

PNPX2 BRT Q1BSR

Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

Лента и катушка (TR)

Спецификация книги

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажа	Surface Mount
Тип транзистора	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.	200mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)	500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Частота – переход	200MHz
Резистор — база (R1)	4.7kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)	4.7kOhms
Пакет устройств поставщика	US6