RN4990(TE85L,F) Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

RN4990(TE85L,F)

Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

NPN + PNP BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BE

Лента и катушка (TR)

Цены:

$0.0540

Запасы: 90

Общее число

Количество

Цены

Общая цена

$0.2970

$0.2070

$2.0700

100

$0.1080

$10.8000

500

$0.0810

$40.5000

1000

$0.0630

$63.0000

3000

$0.0540

$162.0000

6000

$0.0540

$324.0000

9000

$0.0450

$405.0000

30000

$0.0450

$1,350.0000

75000

$0.0360

$2,700.0000

150000

$0.0360

$5,400.0000

Получить информацию о предложении

Продукты Подробнее

RN4990(TE85L,F)

Номер запчастей：

Классификация продукции：

Производитель：

Тип：

Упаковка：

Количество：

Состояние RoHS：

Спецификация книги：

RN4990(TE85L,F)

Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

NPN + PNP BRT Q

Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением

Лента и катушка (TR)

Продукты параметры

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажа	Surface Mount
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.	200mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)	100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Частота – переход	250MHz, 200MHz
Резистор — база (R1)	4.7kOhms
Пакет устройств поставщика	US6