86-13826519287‬
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4YS
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4YS
Номер запчастей
Классификация продукции
Производитель
Тип
Упаковка
Упаковка
Количество
Состояние RoHS
TP65H050G4YS
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
-
Трубка
402
Цены:
$8.9190
Запасы: 402
Общее число

Количество

Цены

Общая цена

1

$12.9240

$12.9240

10

$11.3850

$113.8500

450

$8.9190

$4,013.5500

Получить информацию о предложении
Продукты Подробнее
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4YS
TP65H050G4YS
Номер запчастей
Классификация продукции
Производитель
Тип
Упаковка
Упаковка
Количество
Состояние RoHS
Спецификация книги
TP65H050G4YS
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
650 V 35 A GAN
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Трубка
402 
1
Продукты параметры
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
РядSuperGaN®
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-4
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)132W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщикаTO-247-4L
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs24 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1000 pF @ 400 V
captcha

онлайн услуги

Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
86-13826519287‬

онлайн услуги

Время работы: с понедельника по субботу с 9:00 до 18:00
Пожалуйста, выберите онлайн сервис:
0