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类型 | 描述 |
制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
系列 | - |
包裹 | 散装 |
产品状态 | OBSOLETE |
包装/箱 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
安装类型 | Through Hole |
晶体管类型 | PNP |
工作温度 | 150°C (TJ) |
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1µA (ICBO) |
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce | 70 @ 500mA, 2V |
频率-转变 | 100MHz |
供应商设备包 | TO-92MOD |
集电极电流 (Ic)(最大) | 2 A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50 V |
功率 - 最大 | 900 mW |