4435 单 FET、MOSFET_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

4435

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<33

卷带式 (TR)

3765

价格:

$0.4770

库存: 3765

总数

数量

价格

总价

$0.4770

$0.4050

$4.0500

100

$0.2880

$28.8000

500

$0.2250

$112.5000

1000

$0.1800

$180.0000

2000

$0.1620

$324.0000

4000

$0.1620

$648.0000

8000

$0.1530

$1,224.0000

12000

$0.1440

$1,728.0000

28000

$0.1350

$3,780.0000

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产品详情

4435

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

4435

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

P30V,RD(MAX)<20

单 FET、MOSFET

卷带式 (TR)

3765

规格书

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Goford Semiconductor
系列	TrenchFET®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	20mOhm @ 10A, 10V
功耗（最大）	2.5W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 250µA
供应商设备包	8-SOP
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	4.5V, 10V
Vgs（最大）	±20V
漏源电压 (Vdss)	30 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	40 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	2270 pF @ 15 V