86-13826519287‬
  • image of 记忆>BY25Q128ESWIG(R)
  • image of 记忆>BY25Q128ESWIG(R)
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
BY25Q128ESWIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
-
卷带式 (TR)
2999
价格:
$0.6030
库存: 2999
总数

数量

价格

总价

1

$1.4130

$1.4130

10

$1.2600

$12.6000

25

$1.1970

$29.9250

100

$0.9810

$98.1000

250

$0.9180

$229.5000

500

$0.8100

$405.0000

1000

$0.6390

$639.0000

3000

$0.6030

$1,809.0000

6000

$0.5670

$3,402.0000

15000

$0.5490

$8,235.0000

获取报价信息
产品详情
image of 记忆>BY25Q128ESWIG(R)
BY25Q128ESWIG(R)
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
BY25Q128ESWIG(R)
记忆
BYTe Semiconductor
128 MBIT, 3.0V
记忆
卷带式 (TR)
2999 
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商BYTe Semiconductor
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-WDFN Exposed Pad
安装类型Surface Mount
内存大小128Mbit
内存类型Non-Volatile
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
电压 - 电源2.7V ~ 3.6V
技术FLASH - NOR (SLC)
时钟频率120 MHz
内存格式FLASH
供应商设备包8-WSON (5x6)
写入周期时间 - 字、页60µs, 2.4ms
内存接口SPI - Quad I/O
存取时间7.5 ns
记忆组织16M x 8
captcha

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
86-13826519287‬

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
0