CGD65A130S2-T13 单 FET、MOSFET_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

零件编号：

产品分类：

制造商：

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包装：

数量：

RoHS 状态：

CGD65A130S2-T13

单 FET、MOSFET

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

卷带式 (TR)

3352

价格:

$2.9880

库存: 3352

总数

数量

价格

总价

$5.6250

$4.8240

$48.2400

100

$4.0140

$401.4000

500

$3.5460

$1,773.0000

1000

$3.1950

$3,195.0000

3500

$2.9880

$10,458.0000

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产品详情

CGD65A130S2-T13

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

CGD65A130S2-T13

单 FET、MOSFET

Cambridge GaN Devices

650V GAN HEMT,

单 FET、MOSFET

卷带式 (TR)

3352

产品参数

类型	描述
制造商	Cambridge GaN Devices
系列	ICeGaN™
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	16-PowerVDFN
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	182mOhm @ 900mA, 12V
场效应管特性	Current Sensing
Vgs(th)（最大值）@Id	4.2V @ 4.2mA
供应商设备包	16-DFN (8x8)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	12V
Vgs（最大）	+20V, -1V
漏源电压 (Vdss)	650 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	2.3 nC @ 12 V