EPC2014C 单 FET、MOSFET_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

EPC2014C

单 FET、MOSFET

EPC

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

卷带式 (TR)

52011

价格:

$0.5940

库存: 52011

总数

数量

价格

总价

$1.4400

$1.1790

$11.7900

100

$0.9180

$91.8000

500

$0.7740

$387.0000

1000

$0.6300

$630.0000

2500

$0.5940

$1,485.0000

5000

$0.5670

$2,835.0000

12500

$0.5400

$6,750.0000

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产品详情

EPC2014C

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

EPC2014C

单 FET、MOSFET

EPC

GANFET N-CH 40V

单 FET、MOSFET

卷带式 (TR)

52011

规格书

产品参数

PDF(1)

PDF(2)

PDF(3)

类型	描述
制造商	EPC
系列	eGaN®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	Die
安装类型	Surface Mount
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs	16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 2mA
供应商设备包	Die
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	5V
Vgs（最大）	+6V, -4V
漏源电压 (Vdss)	40 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	2.5 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	300 pF @ 20 V