G01N20LE 单 FET、MOSFET_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

零件编号：

产品分类：

制造商：

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数量：

RoHS 状态：

G01N20LE

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9

卷带式 (TR)

826

价格:

$0.3690

库存: 826

总数

数量

价格

总价

$0.3690

$0.2880

$2.8800

100

$0.1710

$17.1000

500

$0.1620

$81.0000

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$0.1080

$108.0000

3000

$0.0990

$297.0000

6000

$0.0990

$594.0000

9000

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$810.0000

30000

$0.0810

$2,430.0000

75000

$0.0810

$6,075.0000

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产品详情

G01N20LE

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

G01N20LE

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

N200V,RD(MAX)<8

单 FET、MOSFET

卷带式 (TR)

826

规格书

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Goford Semiconductor
系列	TrenchFET®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	1.7A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	700mOhm @ 1A, 10V
功耗（最大）	1.5W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 250µA
供应商设备包	SOT-23-3
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	4.5V, 10V
Vgs（最大）	±20V
漏源电压 (Vdss)	200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	12 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	580 pF @ 25 V