G06N06S 单 FET、MOSFET_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

G06N06S

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

N60V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M

卷带式 (TR)

6142

价格:

$0.1980

库存: 6142

总数

数量

价格

总价

$0.5310

$0.4590

$4.5900

100

$0.3150

$31.5000

500

$0.2610

$130.5000

1000

$0.2250

$225.0000

2000

$0.1980

$396.0000

4000

$0.1980

$792.0000

8000

$0.1890

$1,512.0000

12000

$0.1800

$2,160.0000

28000

$0.1710

$4,788.0000

获取报价信息

产品详情

G06N06S

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

G06N06S

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

N60V,RD(MAX)<22

单 FET、MOSFET

卷带式 (TR)

6142

规格书

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Goford Semiconductor
系列	TrenchFET®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	22mOhm @ 6A, 10V
功耗（最大）	2.1W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	2.4V @ 250µA
供应商设备包	8-SOP
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	4.5V, 10V
Vgs（最大）	±20V
漏源电压 (Vdss)	60 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	46 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1600 pF @ 30 V