G06NP06S2 FET、MOSFET 阵列_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

零件编号：

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RoHS 状态：

G06NP06S2

FET、MOSFET 阵列

Goford Semiconductor

MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP

卷带式 (TR)

11960

价格:

$0.7470

库存: 11960

总数

数量

价格

总价

$0.7470

$0.6480

$6.4800

100

$0.4500

$45.0000

500

$0.3780

$189.0000

1000

$0.3240

$324.0000

2000

$0.2880

$576.0000

4000

$0.2880

$1,152.0000

8000

$0.2700

$2,160.0000

12000

$0.2520

$3,024.0000

28000

$0.2520

$7,056.0000

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产品详情

G06NP06S2

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

G06NP06S2

FET、MOSFET 阵列

Goford Semiconductor

MOSFET N/P-CH 6

FET、MOSFET 阵列

卷带式 (TR)

11960

规格书

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Goford Semiconductor
系列	TrenchFET®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	8-SOP
安装类型	Surface Mount
配置	N and P-Channel
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大	2W (Tc), 2.5W (Tc)
漏源电压 (Vdss)	60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	6A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On（最大）@Id、Vgs	35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
供应商设备包	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)