G12P10KE 单 FET、MOSFET_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

零件编号：

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制造商：

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RoHS 状态：

G12P10KE

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10

卷带式 (TR)

1324

价格:

$0.5490

库存: 1324

总数

数量

价格

总价

$0.5490

$0.4680

$4.6800

100

$0.3240

$32.4000

500

$0.2520

$126.0000

1000

$0.2070

$207.0000

2500

$0.1800

$450.0000

5000

$0.1710

$855.0000

12500

$0.1620

$2,025.0000

25000

$0.1620

$4,050.0000

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产品详情

G12P10KE

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

G12P10KE

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

P-100V,ESD,-12A

单 FET、MOSFET

卷带式 (TR)

1324

规格书

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Goford Semiconductor
系列	TrenchFET®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	200mOhm @ 6A, 10V
功耗（最大）	57W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	3V @ 250µA
供应商设备包	TO-252
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	4.5V, 10V
Vgs（最大）	±20V
漏源电压 (Vdss)	100 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	33 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1720 pF @ 50 V