G35N02K 单 FET、MOSFET_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

G35N02K

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18

卷带式 (TR)

217

价格:

$0.3870

库存: 217

总数

数量

价格

总价

$0.3870

$0.3330

$3.3300

100

$0.2340

$23.4000

500

$0.1800

$90.0000

1000

$0.1440

$144.0000

2500

$0.1350

$337.5000

5000

$0.1260

$630.0000

12500

$0.1170

$1,462.5000

25000

$0.1170

$2,925.0000

62500

$0.1080

$6,750.0000

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产品详情

G35N02K

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

G35N02K

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

N20V,RD(MAX)<13

单 FET、MOSFET

卷带式 (TR)

217

规格书

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Goford Semiconductor
系列	-
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	13mOhm @ 20A, 4.5V
功耗（最大）	40W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	1.2V @ 250µA
供应商设备包	TO-252
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	2.5V, 4.5V
Vgs（最大）	±12V
漏源电压 (Vdss)	20 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	24 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1380 pF @ 10 V