G60N04K 单 FET、MOSFET_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

零件编号：

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制造商：

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RoHS 状态：

G60N04K

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

卷带式 (TR)

2432

价格:

$0.6480

库存: 2432

总数

数量

价格

总价

$0.6480

$0.5580

$5.5800

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$0.3870

$38.7000

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$0.3240

$162.0000

1000

$0.2790

$279.0000

2500

$0.2430

$607.5000

5000

$0.2340

$1,170.0000

12500

$0.2160

$2,700.0000

25000

$0.2160

$5,400.0000

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产品详情

G60N04K

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

G60N04K

单 FET、MOSFET

Goford Semiconductor

N40V,RD(MAX)<7M

单 FET、MOSFET

卷带式 (TR)

2432

规格书

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Goford Semiconductor
系列	TrenchFET®
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型	Surface Mount
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型	N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs	7mOhm @ 30A, 10V
功耗（最大）	65W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id	2.5V @ 250µA
供应商设备包	TO-252 (DPAK)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	4.5V, 10V
Vgs（最大）	±20V
漏源电压 (Vdss)	40 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	29 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1800 pF @ 20 V