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零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
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RoHS 状态
IRFD210
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
-
管子
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产品详情
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IRFD210
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
IRFD210
单 FET、MOSFET
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 200
单 FET、MOSFET
管子
-
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Vishay / Siliconix
系列-
包裹管子
产品状态OBSOLETE
包装/箱4-DIP (0.300", 7.62mm)
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C600mA (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs1.5Ohm @ 360mA, 10V
功耗(最大)1W (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
供应商设备包4-HVMDIP
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)200 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.2 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds140 pF @ 25 V
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