RN2118MFV(TPL3) 单个预偏置双极晶体管_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

RN2118MFV(TPL3)

单个预偏置双极晶体管

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

切带 (CT)

3000

价格:

$0.2430

库存: 3000

总数

数量

价格

总价

$0.2430

$0.1710

$1.7100

100

$0.0810

$8.1000

500

$0.0720

$36.0000

1000

$0.0450

$45.0000

2000

$0.0450

$90.0000

获取报价信息

产品详情

RN2118MFV(TPL3)

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

RN2118MFV(TPL3)

单个预偏置双极晶体管

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRANS PREBIAS P

单个预偏置双极晶体管

切带 (CT)

3000

规格书

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列	-
包裹	切带 (CT)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	SOT-723
安装类型	Surface Mount
晶体管类型	PNP - Pre-Biased
Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic	300mV @ 500µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大）	500nA
直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce	50 @ 10mA, 5V
供应商设备包	VESM
集电极电流 (Ic)（最大）	100 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50 V
功率 - 最大	150 mW
电阻器 - 基极 (R1)	47 kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)	10 kOhms