86-13826519287‬
  • image of 双极晶体管阵列,预偏置>RN2701,LF
  • image of 双极晶体管阵列,预偏置>RN2701,LF
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
RN2701,LF
双极晶体管阵列,预偏置
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
-
卷带式 (TR)
3000
价格:
$0.0450
库存: 3000
总数

数量

价格

总价

1

$0.2520

$0.2520

10

$0.1710

$1.7100

100

$0.0810

$8.1000

500

$0.0720

$36.0000

1000

$0.0450

$45.0000

3000

$0.0450

$135.0000

6000

$0.0360

$216.0000

9000

$0.0360

$324.0000

30000

$0.0360

$1,080.0000

75000

$0.0270

$2,025.0000

150000

$0.0270

$4,050.0000

获取报价信息
产品详情
image of 双极晶体管阵列,预偏置>RN2701,LF
RN2701,LF
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
RN2701,LF
双极晶体管阵列,预偏置
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
PNPX2 BRT Q1BSR
双极晶体管阵列,预偏置
卷带式 (TR)
3000 
1
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
安装类型Surface Mount
晶体管类型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
功率 - 最大200mW
集电极电流 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大)500nA
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce30 @ 10mA, 5V
频率-转变200MHz
电阻器 - 基极 (R1)4.7kOhms
电阻器 - 发射极基极 (R2)4.7kOhms
供应商设备包USV
captcha

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
86-13826519287‬

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
0