RN4990(TE85L,F) 双极晶体管阵列，预偏置_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

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RN4990(TE85L,F)

双极晶体管阵列，预偏置

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

NPN + PNP BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BE

卷带式 (TR)

价格:

$0.0540

库存: 90

总数

数量

价格

总价

$0.2970

$0.2070

$2.0700

100

$0.1080

$10.8000

500

$0.0810

$40.5000

1000

$0.0630

$63.0000

3000

$0.0540

$162.0000

6000

$0.0540

$324.0000

9000

$0.0450

$405.0000

30000

$0.0450

$1,350.0000

75000

$0.0360

$2,700.0000

150000

$0.0360

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产品详情

RN4990(TE85L,F)

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

RN4990(TE85L,F)

双极晶体管阵列，预偏置

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

NPN + PNP BRT Q

双极晶体管阵列，预偏置

卷带式 (TR)

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列	-
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型	Surface Mount
晶体管类型	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
功率 - 最大	200mW
集电极电流 (Ic)（最大）	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic	300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止（最大）	100nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce	120 @ 1mA, 5V
频率-转变	250MHz, 200MHz
电阻器 - 基极 (R1)	4.7kOhms
供应商设备包	US6