SIZF300DT-T1-GE3 FET、MOSFET 阵列_ICKU电子库存|供应商电子元器件分销商

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RoHS 状态：

SIZF300DT-T1-GE3

FET、MOSFET 阵列

Vishay / Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR

卷带式 (TR)

2826

价格:

$0.4320

库存: 2826

总数

数量

价格

总价

$1.0980

$0.9000

$9.0000

100

$0.6930

$69.3000

500

$0.5940

$297.0000

1000

$0.4770

$477.0000

6000

$0.4320

$2,592.0000

9000

$0.4140

$3,726.0000

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产品详情

SIZF300DT-T1-GE3

零件编号：

产品分类：

制造商：

类型：

封装：

包装：

数量：

RoHS 状态：

规格书：

SIZF300DT-T1-GE3

FET、MOSFET 阵列

Vishay / Siliconix

MOSFET 2N-CH 30

FET、MOSFET 阵列

卷带式 (TR)

2826

规格书

产品参数

PDF(1)

类型	描述
制造商	Vishay / Siliconix
系列	TrenchFET® Gen IV
包裹	卷带式 (TR)
产品状态	ACTIVE
包装/箱	8-PowerWDFN
安装类型	Surface Mount
配置	2 N-Channel (Dual)
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
技术	MOSFET (Metal Oxide)
功率 - 最大	3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
漏源电压 (Vdss)	30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds	1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds On（最大）@Id、Vgs	4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs	22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th)（最大值）@Id	2.2V @ 250µA
供应商设备包	8-PowerPair® (6x5)