86-13826519287‬
  • image of 单 FET、MOSFET>TP44100SG
  • image of 单 FET、MOSFET>TP44100SG
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
TP44100SG
单 FET、MOSFET
Tagore Technology
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
-
卷带式 (TR)
2969
价格:
$2.9700
库存: 2969
总数

数量

价格

总价

1

$4.9500

$4.9500

10

$4.2750

$42.7500

100

$3.7170

$371.7000

500

$2.9700

$1,485.0000

3000

$2.9700

$8,910.0000

获取报价信息
产品详情
image of 单 FET、MOSFET>TP44100SG
TP44100SG
零件编号
产品分类
制造商
类型
封装
包装
数量
RoHS 状态
规格书
TP44100SG
单 FET、MOSFET
Tagore Technology
GAN FET HEMT 65
单 FET、MOSFET
卷带式 (TR)
2969 
-
产品参数
PDF(1)
类型描述
制造商Tagore Technology
系列-
包裹卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱22-PowerVFQFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C19A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs118mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 11mA
供应商设备包22-QFN (5x7)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)0V, 6V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs3 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds110 pF @ 400 V
captcha

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
服务时间: 周一至周六9:00-18:00
86-13826519287‬

在线服务

服务时间: 周一至周六9:00-18:00
请选择在线客服:
0